可提升效率,大幅节省各种电源转换的独立 MOSFET

可提升效率,大幅节省各种电源转换的独立 MOSFET

[导读]在科学技术高度发达的今天,各种各样的高科技出现在我们的生活中,为我们的生活带来便利,那么你知道这些高科技可能会含有的独立 MOSFET吗?

在科学技术高度发达的今天,各种各样的高科技出现在我们的生活中,为我们的生活带来便利,那么你知道这些高科技可能会含有的独立 MOSFET吗?

Diodes 公司近日宣布推出新一代首款独立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用轻巧封装,可提升效率,大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。

功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor——SIT)。

DMN3012LEG 在单一封装内整合双 MOSFET,尺寸仅 3.3mm x 3.3mm,相较于典型双芯片解决方案,电路板空间需求最多减少 50%。此节省空间的特点,有利于使用负载点 (PoL) 与电源管理模块的一系列产品应用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降压转换器与半桥电源拓扑,以缩小功率转换器解决方案的尺寸。

功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。

PowerDI® 3333-8 D 型封装的 3D 结构有助增加整体功率效率,且高电压与额定电流大幅扩大其应用范围。完全接地垫片设计可带来良好的散热效能,降低整个解决方案的运作温度,还能善用高切换速度及其效率,免去大型电感器和电容器的需求。

MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系,使用者无法降低Cin, 但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数,加快开关速度,MOSFET只靠多子导电,不存在少子储存效应,因而关断过程非常迅速,开关时间在10— 100ns之间,工作频率可达100kHz以上,是主要电力电子器件中最高的。

DMN3012LEG 整合两个 N 信道的增强模式 MOSFET,非常适合用于同步降压转换器的设计。此组件使用横向扩散 MOS (LDMOS) 制程,结合快速导通和间断动作,Q1 延迟时间仅 5.1ns 和 6.4ns,Q2 仅 4.4ns 和 12.4ns,且 Q1 最大导通电阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 时仅 12mΩ,Q2 在 Vgs=5V 时则是 6mΩ。若闸源极电压为 10V,DMN3012LEG 可接受 30V 汲源极电压,同时支持 5V 闸极驱动。

以上就是独立 MOSFET的一些值得大家学习的详细资料解析,希望在大家刚接触的过程中,能够给大家一定的帮助,如果有问题,也可以和小编一起探讨。

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